オプティカニクス総合取扱製品
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THz ウインドウ

結晶およびポリマー材料で作られたTHzウィンドウを提供します。

High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)

 

1.1　HRFZ-Siウインドウ

カスタムサイズはご要望に応じて製造されます。

 

1.2　テラヘルツグレード　水晶(クリスタルクォーツ)と

テラヘルツグレード サファイア　ウインドウ
 

以下のTHzグレードクリスタルクォーツウィンドウは在庫から入手できます。

水晶の在庫

カスタムサイズ（最大厚30mm）はご要望に応じて製作いたします。

次のTHzグレードの水晶のサイズが利用可能です。
-Z軸に沿って成長した結晶の場合：X> = 100 mm、Y> = 150 mm、Zは最大35 mm。
-X軸に沿って成長した結晶の場合：Xは最大30 mm、Y> = 100 mm、Z> = 125 mm。

THzグレードのサファイアウィンドウは、ご要望に応じてご利用いただけます。
異なる寸法の完成部品は在庫から入手でき、1週間以内に供給されます。オプティクスの在庫を
ご確認ください。

 

2.　ポリマー

2.1　TPX

カスタムサイズ（最大厚30mm）はご要望に応じて製作いたします。
 

 

2.2　ZEONEX ウインドウ

ZEONEXウィンドウは、ご要望に応じて製造されます。  
在庫の材料の最大厚さは33 mmです。

 

 

THz レンズ

TPXとHRFZ-Si製のTHzレンズをご用意しています。

 

1. 　TPXレンズ

*すべてのEFLは波長300 µmに対して計算されます。THz範囲（30〜3000 µm）の端で、可視範囲内の屈折率分散に関連するEFL偏差は、製造されたEFL許容誤差と比較すると無視できます。

 

2. 　HRFZ-Siレンズ

 

HRFZ-Siの各hyper-/hypo-/hemispherical,Bullet,Meniscus レンズ

HRFZ-Siの研磨された「ボール型」のブランク（直径2.0、4.0、6.0、8.0、10.0、および12.0 mm）は常に在庫されています。レンズの平らな表面を必要な厚さに研磨できるため、ご要望に応じて、ハイパースフィア、ハイポスフィア、ヘミスフィアを2週間以内に提供します。
 

HRFZ-Siメニスカスレンズ

*すべてのEFLは波長300 µmに対して計算されます。THz範囲（30-3000 µm）のエッジでの可視域内の屈折率分散に関連するEFL偏差は、製造されたEFL許容範囲（+/- 1％）と比較して無視できます。 


 

3. 　HRFZ-Siアクシコーン

円錐レンズまたはアクシコーンは、ガウスビームをベッセルビームに変換するために使用されます。アキシコンは、光軸に沿った一連の点で構成される線に放射線を集束させます。線は等幅のリングを形成し、直径は光学素子からの距離とともに増加します。



 

HRFZ-Siアキシコンは、ご要望に応じて製造されます。 テラヘルツ渦ビームが透明なアキシコンを使用してどのように生成されたかを説明する、磁気励起の分光プローブとしてのテラヘルツ渦ビーム
の記事を読んでください。


 

 

THzプリズム

-従来の（直角）プリズム。このタイプのプリズムは、光学スキームで使用されます。
-減衰全反射（ATR）プリズム。そのような特別なプリズムは、透過で分析するのが難しい材料を調査することを可能にします。


強い吸収とフレネル反射のため、強い吸収のある物質の吸収分光法は実際には不可能になります。この場合、吸収材料の調査に最も適した方法は、フラストレートした全反射の方法です。このような方法は、高屈折率媒質n 0と臨界角を超える入射角での屈折率nが小さい吸収媒質の間の界面からの放射の反射係数の低減効果に基づいています。：c = arcsin（n / n 0）。反射係数の値は、サンプルの屈折率だけでなく、放射線入射角、放射線偏光にも依存します。プリズムパラメータ（特にプリズムの底角）を正しく選択することで、優れたATRスペクトルを取得できます。テラヘルツ範囲における減衰全反射の方法は、THz範囲のフラストレートした内部全反射の方法により、10² to 10⁴ cm^-1からの吸収係数を持つ材料を調査できます。


 

 

THz波長板

 

偏光測定技術は、THz放射（発散、空間モードまたは周波数モード、およびプロファイル）を分析するために非常に重要です。偏光測定の主要な機器は、偏光信号を識別および測定する偏光変調器です。

複屈折材料で作られた平面-平面板(Plano-Plano Plate) は、放射線の偏光状態を変更するために使用されます。波長板は、波の2つの垂直偏波成分間の位相をシフトすることによって機能します。最も一般的なタイプの波長板は、1/2波長板（λ/ 2板）と1/4波長板（λ/ 4板）です。λ/ 2板は位相遅延πを与え、λ/ 4板-π/ 2を与えます。半波長板は、直線偏光の偏光方向を変更します。四分の一波長板は直線偏光を円形に、またはその逆に変更します。偏光方向が波長板軸のいずれかに沿っている場合、波長板は直線偏光ビームの偏光を変更しません。

1/2λ板


1/4λ板


Tydexは単一動作波長用のTHz波長板を提供します： 



 

   

いくつかの特別に配向された半波長板で構成されるセグメント化された波長板は、直線偏光されたものから放射状および方位角偏光の放射を得ることができます。このような波長板の動作原理を以下に示します。


セグメント化された波長板の動作原理：




 

セグメント化された波長板を45度回転させることにより、ラジアル偏光を方位角偏光に変更できます。放射状偏光の方向は、波長板を90度回転させると反対になります。セグメント化された波長板と正レンズの組み合わせにより、その伝播方向に沿って偏光された放射が得られます。

セグメント化された波長板は、ご要望に応じて製造されます。




 

チューナブルTHz偏光コンバーター

単色波長板は、固定波長放射の偏光を変換するために使用されます。これらの波長板は単一の波長でのみ動作するため、場合によっては、波長可変レーザーなどでの使用には不便です。その理由として、調整可能な偏光コンバーター（TWPC）が選択されています。


TYDEXは、幅広い波長範囲の放射の偏光を変換するTWPCを開発しました。装置に付属の特別なソフトウェアは、変換パラメーターと制限を計算できます。


 

TWPCユニットは、3つの結晶性石英複屈折プレートで構成されています。各プレートは、完全な円の回転を可能にする回転子に配置されます。3つの回転子は、共通のベースにしっかりと固定されています。必要な偏光変換を達成するために、プレートを特定の角度に回転させます。角度は付属のソフトウェアで計算されます。プレート角度の他に、ソフトウェアはリターデーション、有効光軸、偏光度対波長を計算できます。
調整範囲はTWPCパラメーターによって異なります。THz範囲全体を複数のTWPCでカバーできます。

TYDEX標準TWPCは、次のモードで動作できます。

• 80-160μmの範囲内のあらゆる波長に対応する半波長単色プレート
• 150-300μmの範囲内の任意の波長用の1/4波長単色プレート
• 120μm複屈折フィルター。

TWPC動作モードは、2つの偏光子の間に配置されたTWPCの透過スペクトルをFT分光計Bruker Vertex 70で測定することによってテストされました。

さまざまなモードで動作するTWPCの例を以下に示します。
 

120μmでほぼゼロの透過率は、選択した波長で適切な偏光変換を確認します。図1は、平行偏光子を使用して計算および測定されたTWPC透過スペクトルの比較を示しています。TWPCは120μm半波長板としてテストされました。1.  TWPCは、80〜160μmの範囲内の任意の波長の半波長単色プレートです。
図1.
並列偏光子を使用して120μmでλ/ 2として使用される計算および測定されたTWPC透過スペクトル

2.  150〜300μmの範囲内の任意の波長用の1/4波長単色プレートとしてのTWPC。TWPCの動作は、220μmの1/4波長板モードでテストされました。図2は、下流の偏光子の異なる方向での計算および測定されたTWPC透過スペクトルの比較を示しています。

図2a
下流の偏光子のさまざまな方向で220μmでλ/ 4として使用される計算されたTWPC透過スペクトル


図2b
下流の偏光子の異なる方向で220μmでλ/ 4として使用される測定されたTWPC透過スペクトル


計算された透過率も測定された透過率も、下流の偏光子の角度に依存しません（わずかな結果の変動は、測定手順によるものです）。これは、TWPC後の放射に円偏光があり、220μmでの1/4波長板としての機器の適切な動作を確認することを意味します。

3.  120μm複屈折フィルターとして使用されるTWPC。TWPCは交差した偏光子の間に配置され、複屈折フィルターモードで動作します。計算および測定されたスペクトル（図3）の120μmでの一致するピークは、TWPCが指定された波長で複屈折フィルターとして動作することを確認します。

図3.
交差した偏光子間のTWPC透過スペクトルの計算と測定

偏光子はTWPCに含まれておらず、個別に提供できることに注意してください。
結果は、TWPCが前述のデバイスの本質的な特性を実証していることを確認します。